Electronic principles - Chapter 6

Chia sẻ: Hoàng Văn Hùng | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:29

Thêm vào BST

Báo xấu

101
lượt xem 19
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tài liệu tham khảo giáo án nguyên tắc điện tử bằng tiếng anh

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Electronic principles - Chapter 6

Chương 6 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Từ Vựng (1) • Active region = miền tích cực • Base (B) = (miền/cực) nền • Bipolar transistor = transistor lưỡng cực • Breakdwon region = miền đánh thủng • Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp) • Collector diode = diode tạo bởi JC • Common base (CB) = nền chung • Common collector (CC) = thu chung • Common emitter (CE) = phát chung
Từ Vựng (2) • Current gain = độ lợi dòng • Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến • Cutoff region = miền tắt • Emitter (E) = (miền/cực) phát Emitter diode = diode tạo bởi JE • • H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H (Hybrid) • Integrated circuit = vi mạch = mạch tích hợp = IC
Từ Vựng (3) • Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệt • Junction trasistor = trasistor tiếp xúc • Power trasistor = trasistor công suất • Saturation region = miền bão hòa • Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ • Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung • Thermal resistance = nhiệt trở
Nội dung chương 6 Transistor chưa phân cực 1. Transistor có phân cực 2. Các dòng điện trong transistor 3. Mắc E chung (CE) 4. Đặc tuyến ở cực nền 5. Đặc tuyến ở cực thu 6. Xấp xỉ transistor 7. Đọc bảng dữ liệu 8. 9. Troubleshooting
Transistors (Transfer Resistor) Transistors Field Effect Transistors Bipolar transistors NPN,PNP Junction-FETs (JFETS) Insulated Gate FET’s N-channel, P-channel MOSFETs Enhancement, Depletion N-channel, P-channel
Giới thiệu về BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc) • Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+) • BJT được phát minh vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Shockley • BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và thu (C). • Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là JE, giữa B và C là JC. • Có 2 loại: NPN và PNP
Cấu tạo và ký hiệu BJT
Cấu tạo và ký hiệu BJT NPN C C E N B B P B N+ E E C Arrow always points away from base and toward emitter My pneumonic: No Point iN PNP C C E P B B N B P+ E E C Arrow always points away from emitter towards base My pneumonic: Points IN
Bipolar junction transistor (BJT) E B C • The BJT is a “Si sandwich” π n P Pnπ (P=p+,π =p-) or VEB VCB Npν (N=n+, ν =n-) • BJT action: npn Forward Active De p le tio n R e g io n when VBE > 0 and C h a rg e ne u tra l R e g io n VBC < 0
Schematic representation of pnp and npn BJTs Emitter is heavily doped compared to collector. So, emitter and collector are not interchangeable. The base width is small compared to the minority carrier diffusion length. If the base is much larger, then this will behave like back-to-back diodes.
BJT circuit symbols VCE = − VEC IE = IB + IC and VEB + VBC + VCE = 0 As shown, the currents are positive quantities when the transistor is operated in forward active mode.
BJT circuit configurations and output characteristics
BJT biasing modes
BJT Operation Characteristics • IC vs. VCE graph allows us to determine operating region. • Works for any IB or VCE • VBE tops out around ~0.7V
BJT Operation Regions Operation IB or VCE BC and BE Mode Operation Region Junctions Region Junctions Char. Cutoff IB = Very Reverse & Open Switch Reverse small Saturation VCE = Small Forward & Closed Forward Switch Active VCE = Reverse & Linear Linear Amplifier Moderate Forward Break-down VCE = Large Beyond Overload Limits
Cutoff NPN BJT Collector current C n V2 Base current Reverse Biased B +++ p Reverse biased n V1 Emitter current E
Saturated NPN BJT Collector current C n V2 ---- Forward biased Base current B p ++ - Forward biased - n V1 Emitter current E
Active Linear NPN BJT Collector current C n V2 --- Base current Reverse Biased B --- p ++ --- Forward biased n V1 Emitter current E
Hoạt động của transistor NPN Large current