- Lý do chọn đề tài Vật liệu thiếc oxit (SnO2) dạng khối có vùng cấm thẳng và rộng cỡ khoảng 3.6 Ev tại nhiệt độ phòng. - Trong quang điện tử, SnO2 cũng được biết đến như là một sự lựa chọn để làm vật liệu nền cho việc pha tạp các nguyên tố đất hiếm (RE). - Để vượt qua giới hạn này, người ta nghiên cứu các phát xạ không trực tiếp của ion Er3+ thông qua các nguyên tố đồng pha tạp hoặc vật liệu nền, ví dụ như silic đa tinh thể, kẽm oxit, hoặc thiếc oxit. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu hạt nanô SnO2:Er3+ bằng phương pháp nhiệt thủy phân. - nghiên cứu tính chất quang của vật liệu và nghiên cứu ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ lên cấu trúc và tính chất của vật liệu. - Nội dung chính của luận văn Chế tạo thành công màng thành công vật liệu nanô SnO2:Er3+. - Khảo sát cấu trúc, tính chất quang, khả năng phát huỳnh quang của vật liệu. - Phương pháp nghiên cứu Phân tích cấu trúc vật liệu thông qua phương pháp nhiễu xạ tia X, nghiên cứu hình thái bề mặt quả ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM), thông qua phổ huỳnh quang, kích thích huỳnh quang và sự suy giảm huỳnh quang để tìm hiểu tính chất quang, cơ chế phát huỳnh quang của hạt nanô SnO2:Er3+. - Kết luận - Chế tạo thành công vật liệu hạt nanô SnO2 pha tạp iôn đất hiếm Er3+ bằng phương pháp nhiệt thủy phân với quy trình chế tạo ổn đinh. - Từ phổ hấp thụ cho biết vật liệu có vùng cấm khoảng 3.8 (eV. - Vật liệu phát quang mạnh ở vùng bước sóng 1.54 μm ứng với dịch chuyển của mức năng lượng 4I13/2 ⇾ 4I15/2 của của ion Er3+ khi kích thích ở bước sóng 325 nm
Xem thử không khả dụng, vui lòng xem tại trang nguồn hoặc xem
Tóm tắt