- Th vin T Quang Bu -Trng HBK Hà Ni 2. - cao hoc s thay %i ca cu trúc khi chu ti trng ln, nh hư!ng ca nhit. - Xut phát t nhng nguyên nhân k trên. - Các vt liu ph a lp này ã ưc các cng s trong nhóm ch to ti phòng thí nghim b mt tiên tin, trưng i hc Ulsan, Hàn Quc. - Kt qu phân tích các d liu này cho thy nng. - Do ó trên cơ s! các kt qu thc nghim ã nhn ưc, ý tư!ng s' dng phương pháp mô ph$ng. - sau ây: 1) (nh hư!ng ca nng. - mòn, o ng sut. - xác nh th tích ca các qu c#u l) h%ng. - tài Lun án cung cp các thông tin v nh hư!ng ca nng. - thay %i c ng như s thay %i ca cu trúc vi mô ca Si3N4 VH khi chu bin dng vi ng sut ln. - Chng 3: Vt liu ph ngoài CrN/AlSiN và CrN/AlBN (Trình bày nh hư!ng ca nng. - T)NG QUAN Hin nay, các lp ph cng khác nhau ã và ang ưc s' dng rng rãi. - các yêu c#u trong nhiu ng dng khác nhau. - Trong thp k va qua, vic nghiên cu mt s vt liu ph cng. - cng nh$ hơn 40 GPa) và siêu cng. - Kh nng chng ôxy hóa ! nhit. - cng ca vt liu ph ngoài c ng ưc nâng cao hơn b&ng cách thêm mt lưng nh$ Si vào (Ti,Al)N. - cng cao khi Λ khong 5∼10 nm. - Hiu ng Hall-Petch ban #u ưc s' dng. - gii thích s gia tng. - cng khi gim kích thưc ht trong kim loi có s lưng ln các a tinh th sau ó ưc s' dng. - gii thích cơ ch gia tng. - Lp ph a lp ưc chia thành hai loi: ng cu trúc và d cu trúc. - Liên kt gia các nguyên t' trong các vt liu này là liên kt mnh và nh hưng t nhiên. - và mô hình tp hp ng"u nhiên liên tc. - Ometltchenko và cng s (Europhys. - phòng, hơn na s thay %i cu trúc a phương ca các h Si3N4 VH khi chu sc cng ln c ng chưa ưc nghiên cu. - cao hoc khi chu ti trng ln cu trúc và cơ tính ca Si3N4 VH thay %i như th nào v"n còn là mt vn. - lng ng cao và lp ph ưc ch to có #y. - ây là lp ph siêu cng, có kh nng chng ôxy hóa ! nhit. - bn cao và kh nng chu mài mòn tt. - cng ca h có th lên ti 35 GPa ng thi xut hin các pha khác nhau trong lp ph Al-Si-N. - Pélisson và cng s (Surf. - cho r&ng có th s' dng AlN và Si3N4. - Musil và cng s ã ch* ra r&ng khi pha thêm Si vào lp ph AlN thì h AlSiN là mt vt liu có. - Lp ph Al1-xSixN có nng. - là vt liu a tinh th, còn có nng. - c bit lp ph AlSiN VH còn có kh nng chng ôxy hóa ! nhit. - Các tác gi c ng ch* ra r&ng cu trúc ca vt liu ph ngoài Al1-xSixN vi nng. - B&ng cách s' dng lý thuyt hàm mt. - Tuy nhiên, các công trình này chưa nghiên cu n nh hư!ng ca nng. - (TS) n cơ tính ca vt liu ph ngoài CrN/AlBN ưc lng ng b!i phương pháp h quang plasma. - cng ca vt liu ph ngoài ã ưc tính toán t các ưng cong ti. - Phương pháp mô ph$ng ng lc hc phân t' (LHPT) và phương pháp hi phc tnh (HPT) ưc s' dng. - xây dng các mô hình vt liu Si3N4 VH, AlSiN, CrN/AlBN/CrN. - ng thi s' dng các phương pháp phân tích vi mô. - Khi ó bin dng ưc xác nh như sau. - Vi là th tích ng vi nguyên t' i (iiV V. - Các d liu thc nghim ca các vt liu ph ngoài này ưc chúng tôi tin hành phân tích, t ó làm sáng t$ nh hư!ng ca nng. - Các lp ph ưc ký hiu l#n lưt là S1, S2, S3 và S4 tương ng vi nng. - T bng 3.2, ta thy khi nng. - Mt khác, khi nng. - Vi s gia tng nng. - Vt liu ph ngoài vi nng. - Hình 3.7 là nh TEM Bng 3.2. - cng (GPa) Mô-un àn hi (GPa) ng sut (GPa) S S S S Hình 3.7 . - nh HR-TEM và SAED ca vt liu ph ngoài CrAlBN c lng ng nhit. - Khi PN tng n 9,33 Pa, vt liu ph ngoài này không còn có cu trúc nhiu lp. - Tuy nhiên thành ph#n ca vt liu ph ngoài CrAlBN g#n như không thay %i khi PN tng t 1,33 n 9,33 Pa. - Khi PN thay %i, vt liu ph ngoài CrN/AlBN ưc lng ng ! PN=1,33 Pa có. - cng và mô-un àn hi ca vt liu ph này c ng tng. - Khi TS tng n 400 °C ta thy. - Vy cơ ch tng cưng cơ tính ca vt liu ph ngoài a lp CrN/AlSiN là gì. - nh HR-TEM và SAED ca vt liu ph ngoài CrAlBN c lng ng áp sut PN=1,33 Pa và nhit. - Các m"u Al1-xSixN ưc xây dng không nhng. - nghiên cu nh hư!ng ca nng. - Mô ph$ng LHPT ưc s' dng. - qN = -0,7875 l#n lưt là in tích hiu dng ca Si, Al và N. - Sáu m"u Al1-xSixN ưc nghiên cu vi nng. - 2,922 và 2,82 g.cm-3 tương ng vi x = 0. - t ưc trng thái cân b&ng ! nhit. - Các m"u này ưc s' dng. - Mô hình s- b bin dng b!i s thay %i nh$ ca ta. - ca các nguyên t' trong mô hình dưi tác dng ca ngoi lc. - Quá trình bin dng ưc thc hin trên các m"u vi tc. - bin dng xp x* 1010 s-1. - Các c trưng cu trúc ca các m"u Al1-xSixN vi nng. - 300 K ưc ưa ra trong bng 4.1. - T bng 4.1 ta có th thy các nguyên t' Si có s phi trí b&ng 3 và 4, khi nng. - Như vy, s phi trí trung bình ZSi-N tng khi nng. - Si tng. - Vashishta và cng s ã ch* ra r&ng. - Chúng ta có th thy khi nng. - Các c trng cu trúc và mô-un àn hi I-âng ca Al1-xSixN VH:. - Phân b" bán kính l# hng trong các m$u Al1-xSixN VH . - T bng 4.1 và hình 4.2, ta thy khi nng. - Trong ph#n 4.1.1, các vt liu Al1-xSixN VH ưc xây dng b&ng phương pháp HPT ! nhit. - Sáu m"u Al1-xSixN ưc xây dng vi mt. - 2,885 và 2,820 g.cm-3 tương ng vi x = 0. - Cu hình ban #u ca các m"u ưc xây dng b&ng phương pháp HPT. - Cu hình này t trng thái cân b&ng ! nhit. - Sau ó, các m"u ưc làm lnh xung 300 K vi tc. - bin dng 2,74.1011 s-1. - Phương pháp phân tích lân cn chung (CNA) ưc s' dng. - T hàm PBXT cp gSi-N(r) ca các m"u Al1-xSixN, ta thy nó có dng ca vt liu vô nh hình. - K có dng ging nhau. - Vashishta và cng s (J. - Hơn na, ta thy có mt s lưng ln các nguyên t' Si và N liên kt vi nhau. - T l nCry/nAlN ca các m"u có nng
Xem thử không khả dụng, vui lòng xem tại trang nguồn hoặc xem
Tóm tắt