- CHƯƠNG 4: ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN ( SEMI CONDUCTOR. - Người ta chia các vật liệu điện ra làm 3 nhóm chính là : chất dẫn điện, chất cách điện và chất bán dẫn.. - Người ta bảo rằng, chất bán dẫn (Semi – conductor) là chất có điện trở suất trung bình giữa chất dẫn điện (kim loại) và chất cách điện (điện môi). - Chất dẫn điện có điện trở suất ρ Ω m.. - Chất bán dẫn có điện trở suất ρ Ω m - Chất cách điện có điện trở suất ρ Ω m. - Hình 4-1-2: Đồ thị năng lượng của chất dẫn điện Chất cách điện Chất bán dẫn. - CHẤT BÁN DẪN LOẠI N (Negative). - CHẤT BÁN DẪN LOẠI P (Positive). - TIẾP XÚC P-N (CHUYỂN TIẾP P-N). - TIẾP XÚC P-N KHI KHÔNG CÓ ĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI. - TIẾP XÚC P-N KHI CO ÙĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI. - TIẾP XÚC P-N KHI CoÙÙ ĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI TIẾP XÚC P-N KHI CoÙÙ ĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI (PHÂN CỰC THUẬN). - Ở nhiệt độ phòng 25 0 C hay 298 0 K, người ta định nghĩa hệ số nhiệt V T. - Vậy dòng qua lớp tiếp xúc P-N:. - Khi phân cực nghịch lớp tiếp xúc P-N : Vùng nghèo mở rộng, dòng qua lớp tiếp xúc nhỏ bằng dòng trôi của hạt thiểu số : I. - Khi phân cực thuận lớp tiếp xúc P-N: Vùng nghèo hẹp, dòng qua lớp tiếp xúc lớn và tăng theo điện áp, là. - DIODE BÁN DẪN. - Vùng phân cực ngược. - Vùng phân cực thuận. - Hình 4-2-4: Mạch khảo sát Diode khi phân cực nghịch Khi phân cực thuận. - ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN DIODE. - Khi nhiệt độ tăng , thì Vγ giảm:. - dòng điện rỉ ở nhiệt độ phòng 25 0 C. - 0,12/ 0 C (đối với Si) T : nhiệt độ môi trường. - I osat : dòng rỉ ở nhiệt độ T. - Chất bán dẫn chế tạo để có V F (V γ. - ĐIỆN TRỞ VÀ TỤ CỦA DIODE. - Điện trở tĩnh : R DC. - Khi phân cực thuận : I D tăng lên mạnh =>. - R D nhỏ Khi phân cực nghịch : I D rất nhỏ =>. - ĐỎ PHÂN CỰC THUẬN. - Điện trở động : rd. - Ở nhiệt độ phòng (25 0 C), ta có KT/q = 25mV, nên r d = 25(mV)/I D (mA). - Tụ của diode khi phân cực ngược:. - Tụ của diode khi phân cực thuận:. - Phân cực thuận Phân cực nghịch
Xem thử không khả dụng, vui lòng xem tại trang nguồn hoặc xem
Tóm tắt