« Home « Kết quả tìm kiếm

Vùng Brillouin


Tìm thấy 20+ kết quả cho từ khóa "Vùng Brillouin"

Khóa luận tốt nghiệp đại học: Lý thuyết vùng năng lượng và phân loại vật rắn theo vùng năng lượng

tailieu.vn

Các giá trị biến số k nằm trong một vùng Brillouin tương ứng với các giá trị hàm số E nằm trong một vùng năng lượng được phép. Một giá trị của biến số k nằm ở biên một vùng Brillouin (xét theo một hướng nào đó) tương ứng với các giá trị của hàm số E nằm trong một vùng năng lượng cấm.. Ba cách biểu diễn sơ đồ các vùng năng lượng [1]. Nói chung có ba cách biểu diễn vùng năng lượng (minh họa như hình 2.3) như sau:. Sơ đồ vùng năng lượng khai triển. Sơ đồ vùng năng lượng quy chuẩn.

Nghiên cứu cấu trúc vùng của tinh thể quang tử hai chiều bằng phương pháp FDTD

tailieu.vn

Để xác định cấu trúc vùng của tinh thể quang tử, ta phải xác định sự phụ thuộc của tần số w của trường điện từ vào vector sóng k r. nằm trong vùng Brillouin thứ nhất. r dọc theo đường thẳng nối các điểm có tính đối xứng cao trong vùng Brillouin, đường này được gọi là k – path như trên hình 2.. PhC 2D mạng vuông (a) và vùng Brillouin thứ nhất với k – path (b). Cấu trúc vùng của PhC 2D mạng vuông các thanh Ge đặt trong không khí.

Bài giảng Vật lí chất rắn - Chương 4: Lí thuyết dải năng lượng (Phần 2)

tailieu.vn

Như vậy ở biên vùng Brillouin hai thành phần của sóng có có cùng năng lượng. Xét hàm sóng ở k=G/2 ở gần đúng bậc 1 của hàm sóng và gần đúng bậc 2 của năng lượng:. Tại biên vùng Brillouin xuất hiện khe năng lượng E g =2U 𝐶 [W/8. Khi đó hàm sóng có dạng. Ta có hệ phương trình. Để biết dáng điệu của phổ năng lượng gần biên vùng Brillouin, ta viết lại phương trình năng lượng theo: 𝐾. Electron liên kết chặt chẽ với lõi nguyên tử, mặc dù vẫn chịu tác dụng của thế của trường tinh thể..

Cấu trúc vùng năng lượng của graphene hai lớp

repository.vnu.edu.vn

Siêu mạng Graphene hai lớp. 3.4.Cấu trúc vùng năng lượng của siêu mạng Graphene hai lớpError! Bookmark not defined. Mô hình thế điện dạng Kronig- Penney. Các vecto cơ sở của vùng Brillouin của GrapheneError! Bookmark not defined.. Hình 1.2.(a) Cơ chế truyền dẫn khuếch tán và (b) cơ chế truyền dẫn ballistic.Error! Bookmark not defined.. Error! Bookmark not defined..

Luan van thac si graphene

www.academia.edu

Tuy nhiên, sự tồn tại của vùng cấm bằng 0 này tại các điểm đối xứng K và K’ yêu cầu tính đối xứng cao trong cấu trúc, nghĩa là mạng các nguyên tử A và B phải đóng vai trò tương đương nhau. Trong trường hợp A và B là các nguyên tử khác loại (chẳng hạn B là Nitơ), giữa các mức  và. Hình A.II.9- Minh hoạ cấu trúc vùng năng lượng của graphene trong vùng Brillouin thứ nhất dựa trên hệ thức tán sắc thu được từ phép gần đúng liên kết mạnh.

Cấu trúc vùng năng lượng của siêu mạng Graphene hai lớp

repository.vnu.edu.vn

CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƢỢNG CỦA SIÊU MẠNG GRAPHENE HAI LỚP: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬNError! Bookmark not defined. Siêu mạng bán dẫn. Phương pháp T-ma trận. Siêu mạng Graphene hai lớp. 3.4.Cấu trúc vùng năng lượng của siêu mạng Graphene hai lớpError! Bookmark not defined. Mô hình thế điện dạng Kronig- Penney. Các vecto cơ sở của vùng Brillouin của GrapheneError! Bookmark not defined.. Hình 1.2.(a) Cơ chế truyền dẫn khuếch tán và (b) cơ chế truyền dẫn ballistic.Error! Bookmark not defined..

Bài giảng Vật lí chất rắn - Chương 1: Cấu trúc tinh thể của vật rắn (Phần 2)

tailieu.vn

Trong mạng đảo ô sơ cấp có tính đối xứng trung tâm được xây dựng từ các mặt trung trực của đường nối giữa một nút mạng đảo với các nút lân cận gọi là vùng Brillouin thứ nhất.

Các đặc trưng plasmon và tính chất động lực học của hệ điện tử trong graphene

277262.pdf

dlib.hust.edu.vn

Chúng tôi dành phần trọng tâm của chương trong việc chứng minh rằng tính bất đẳng hướng của các nón Dirac và sự không tương đương của các trạng thái trong hai thung lũng/nón Dirac trong vùng Brillouin tương ứng là điều kiện cần và điều kiện đủ cho việc chi phối tới đặc trưng plasmon của graphene trong chế độ pha tạp mạnh.

Bài giảng Vật lí chất rắn - Chương 2: Dao động của mạng tinh thể (Phần 3)

tailieu.vn

Tinh thể có chứa N nguyên tử, thì trong vùng Brillouin thứ nhất có N giá trị của K. Hàm mật độ trạng thái một chiều 𝑢 𝑠+𝑁 = 𝑢 𝑠. Mật độ trạng thái trong không gian K là:. Hàm mật độ trạng thái một chiều. 𝑑𝜔/𝑑𝐾 là vận tốc nhóm trong tinh thể 𝐷 𝜔 𝑑𝜔 = 𝐿. Hàm mật độ trạng thái một chiều trong gần đúng Debye:. Hàm mật độ trạng thái ba chiều. Số mode dao động trong hình cầu có bán kính K là:. 𝑑𝐾 𝑑𝜔 Mật độ trạng thái theo tần số là:.

Nghiên cứu các tính chất điện tử, quang học và truyền dẫn của vật liệu graphene hướng tới các ứng dụng điện tử và quang điện tử

277134-TT.pdf

dlib.hust.edu.vn

Thực hiện chéo hóa ma trận totalHk với các vector sóng k thuộc vùng Brillouin I sẽ thu được phổ trị riêng năng lượng nE k của GSLs.

chất bán dẫn

www.scribd.com

Mặt đẳng năng7.7 Mặt đẳng năng ở lân cận các điểm cực trị7.8 Vùng Brillouin và mặt Fermi7.9 Tóm tắt chương 77.10 Câu hỏi và bài tậpChương 8: Các chất bán dẫn8.1 Bán dẫn thuần. Mức Fermi8.3 Độ dẫn điện của các chất bán dẫn8.4 Hiệu ứng Hall trong bán dẫn8.5 Hiện tượng tiếp xúc8.6 Tóm tắt chương 88.7 Câu hỏi và bài tậpChương 9: Tính chất từ của vật rắn9.1 Sơ lược về tính chất từ của vật rắn9.2 Hiện tượng nghịch từ9.3 Hiện tượng thuận từ9.4 Chất sắt từ.

Giáo trình Vật lý chất rắn

www.vatly.edu.vn

Nói cách khác tại biên của vùng Brillouin thì một mức năng lượng của electron trong tinh thể bị tách thành hai mức.. Đồ thị phổ năng lượng của electron trong tinh thể khi xem thế năng của trường tuần hoàn có giá trị bé được mô tả ở hình (3.4.1). Hay như ta thường nói năng lượng của electron trong tinh thể có cấu trúc vùng.. Để tìm năng lượng của electron trong tinh thể ta phải xuất phát từ hàm sóng của electron trong nguyên tử cô lập..

Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai

tailieu.vn

Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin – ĐHTN http://lrc.tnu.edu.vn Khi mà điểm năng lượng thấp trong vùng dẫn tại điểm  trong vùng Brillouin của Si liên quan đến quỹ đạo p không liến kết, trật tự của tiểu vùng dẫn tại vị trí này trong Ge được bảo toàn, với mức năng lượng thấp nhất phản liên kết vùng dẫn quỹ đạo s. Mức năng lượng vùng cấm thẳng 0,8 eV. Điều này làm tăng tiết diện hấp thụ của vật liệu trong phổ phát xạ của mặt trời..

Nghiên cứu chế tạo nanô tinh thể silíc trong màng SiO2 và ứng dụng chế tạo linh kiện điện huỳnh quang

dlib.hust.edu.vn

Hình 1.5: Mô tả cấu trúc tinh thể (a) và vùng Brillouin thứ nhất (b) của silíc. Hình 1.6: Cấu trúc vùng năng lợng của silíc. Hình 1.7: Mô tả các cấu trúc thấp chiều của silíc. Hình 1.8: Một số phơng pháp chế tạo cấu trúc nanô silíc. Hình 1.9: Sự phụ thuộc huỳnh quang của các mẫu SiO2:Si theo nhiệt độ ủ mẫu và nồng độ silíc trong mẫu. Hình 1.10: Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang của mẫu màng SiO2:Si theo kích thớc hạt nc-Si. Hình 1.11: Mô tả sự mở rộng vùng cấm khi giảm kích thớc hạt nanô silíc.

Tính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết

ctujsvn.ctu.edu.vn

Số k-point trong vùng Brillouin được chọn là 1x1x5 lần lượt theo ba phương x, x, z với năng lượng cutoff là 680 eV và nhiệt độ động học của hệ điện tử là 300 K. Sự ổn định cấu trúc. Hình bên phải: Mô hình SSPGNR với vị trí của nguyên tử có khả năng bị khuyết: C1, C2 và hai nguyên tử C2 (2C). Để tìm được các vị trí khuyết khả dĩ, các mẫu SSPGNR được khảo sát với độ rộng dãy thay đổi từ 5 đến 8 dãy, trên mỗi mẫu đã tìm thấy có 3 cấu trúc.

Khóa luận tốt nghiệp đại học: Một số phương pháp giải phương trình Schrodinger một electron

tailieu.vn

Hay nói cách khác là tại biên của vùng Brillouin thì một mức năng lƣợng của electron trong tinh thể bị tách thành hai mức. Đồ thị phổ năng lƣợng của electron trong tinh thể khi xem thế năng của trƣờng tuần hoàn có giá trị bé đƣợc mô tả ở hình (2.6). Hay nhƣ ta nói năng lƣợng của electron trong tinh thể có cấu trúc vùng [2]..

Vật lý chất rắn

tainguyenso.vnu.edu.vn

Mặt đẳng năng 7.7 Mặt đẳng năng ở lân cận các điểm cực trị 7.8 Vùng Brillouin và mặt Fermi 7.9 Tóm tắt chương 7 7.10 Câu hỏi và bài tập Chương 8: Các chất bán dẫn 8.1 Bán dẫn thuần. Mức Fermi 8.2 Bán dẫn pha tạp.

Vật lý chất rắn

tainguyenso.vnu.edu.vn

Mặt đẳng năng 7.7 Mặt đẳng năng ở lân cận các điểm cực trị 7.8 Vùng Brillouin và mặt Fermi 7.9 Tóm tắt chương 7 7.10 Câu hỏi và bài tập Chương 8: Các chất bán dẫn 8.1 Bán dẫn thuần. Mức Fermi 8.2 Bán dẫn pha tạp.

Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair

ctujsvn.ctu.edu.vn

Trong các cấu trúc lục giác, năng lượng điện tử vùng cấm có liên quan xung quanh mức Fermi. Đối với cấu trúc tổ ong cơ bản như graphene, vùng này có các giao tuyến tại hai điểm K của vùng Brillouin thứ nhất. Trong các cấu trúc này, ta thấy có hı̀nh thành các trạng thái giam cầm theo hướng đối xứng GX.. Trong cấu trúc ZnO/GaN thì sự lượng tử hóa năng lượng càng rõ rệt là cấu trúc (3-2) và (5-2), chúng giam cầm đối xứng theo cả hai hướng.

De cuong bai giang vat ly chat ran

www.academia.edu

Vẽ vùng Brillouin thứ cho mạng tinh thể vuông 2 chiều. Nội dung: Chương2 Dao động mạng tinh thể 2.1. Lý thuyết cổ điển về dao động mạng tinh thể 2.2. Lý thuyết lượng tử về dao động mạng tinh thể - Khái niệm phonon 2.3. Nhiệt dung của mạng tinh thể 2. Kể tên và số lượng các phonon trong mạng tinh thể 3 chiều s loại nguyên tử? 4. Trường này được gây bởi tất cả các ellectron còn lại và các lõi nguyên tử trong tinh thể. Phương trình Schrodinger cho ellectron trong tinh thể là.